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常見的耐高溫藍寶石基片的參數復合比較

添加時間 2015-08-07 內容來源:廈門益唯特玻璃有限公司


以蝕刻(在藍寶石C面干式蝕刻/濕式蝕刻)的方式,在藍寶石基板上設計制作出微米級或納米級的具有微結構特定規則的圖案,藉以控制LED之輸出光形式(藍寶石基板上的凹擊圖案會產生光散射或折射的效果增加光的取出率),同時GaN薄膜成長于圖案化藍寶石基板上會產生橫向磊晶的效果,減少生長在藍寶石基板上GaN之間的差排缺陷,改善磊晶質量,并提升LED內部量子效率、增加光萃取效率。

作為光復產業最大的設備提供商,GT Advanced Technologies公司正在開發一種新的技術,讓藍寶石的橫切面的厚度不人的頭發還要薄,這樣直接貼合在手機的液晶面板上。  同時GT公司還在過去幾年中,通過結晶硅太陽能電池供給切割機電量,由此進一步的降低藍寶石的制作成本。 
  三氧化二鋁在一個特定的熔爐中氧化,通過緩慢冷卻結晶行程藍寶石。而GT公司設計的熔爐可以使他們以更廉價的方式獲得更大的晶體,隨著技術的進步,產能也隨之提高,因此根本無需更換全新的設備。

廈門益唯特專業生產耐高溫玻璃/氧化鋁玻璃,藍寶石屬于六方晶系,耐高溫藍寶石基片因此晶向指數與晶面指數的標定應分別采用[uvtw]和(hlik)的表示方法。 
對于晶向指數,可以先以a1a2c三坐標系確定出[UVW],在通過公式 
U=u-t,V=v-t,W=w 
U=(2U-V)/3,v=(2V-U)/3,t=-(u+v),w=W 
換算出[uvtw],以保證其唯一性。 
對于晶面指數,同樣也可以先以a1a2c三坐標系確定出(hkl)再通過i=-(h+k)換算到(hkil)的晶面指數。

對于我們來說,廈門益唯特耐高溫玻璃的應用主要研究的是藍寶石的晶面。常見的藍寶石密排六方晶胞中的晶面如圖3所示。在晶胞中,指數相同的晶面與晶向互相垂直。因此,對藍寶石來說,與a向垂直的晶面稱為a面,與c向垂直的面稱為c面,與m向垂直的面稱為m面,與r向垂直的面稱為r面。藍寶石晶胞各面的切面圖如圖4所示。

耐高溫藍寶石基片的參數與成長于一般藍寶石基板的LED相比,亮度增加了70%以上.目前臺灣生產圖案化藍寶石有中美矽晶、合晶、兆晶,兆達.藍寶石基板中2/4英寸是成熟產品,價格逐漸穩定,而大尺寸(如6/8英寸)的普通藍寶石基板與2英寸圖案化藍寶石基板處于成長期,價格也較高,其生產商也是主推大尺寸與圖案化藍寶石基板,同時也積極增加產能.目前大陸還沒有廠家能生產出圖案化藍寶石基板.



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